0.18μm/0.16μm/0.153μm 1.8V/3.3V G
0.18μm/0.16μm/0.153μm 1.8V/5V G
公司0.18um工艺是基于客户对于Fab兼容目的而开发可广泛应用的工艺。0.18um逻辑工艺可提供1.8V电压core device、3.3V或者5V 电压IO device， 并同时提供Native VT、Medium low VT器件、高性能电容、高精度poly电阻、可变电容器、电感等可选工艺可方便客户电路设计。
Shrunk工艺可以有效的降低客户成本，同时Shrunk工艺的器件特性同不Shrunk工艺非常接近。公司 0.162um工艺是0.18um 90% Shrunk工艺, 公司 0.153um工艺是0.18um 85% Shrunk工艺。
公司0.18um工艺提供OTP/MTP工艺，OTP/MTP 工艺同现有单多晶逻辑工艺平台兼容，不需要额外增加光刻层次。
Key Features
| 0.18G | ||
| Core Voltage | Typical | 1.8V |
| Core Device | Typical VT | √ |
| Low VT | √ | |
| IO Device | 3.3V | √ |
| 5V | √ | |
| SRAM Bltcell(um2) | 4.65 |
0.18um Process Family
| 0.18G | ||
| Special Process | Mix | √ |
| RF | √ | |
| OTP/MTP | √ | |
| Design | Technical File | √ |
| PDK | √ | |
| IP/Library | √ |
0.18μm CMOS EN (3.3V or 5V)
公司提供的0.18μm CMOS EN (3.3V or 5V)工艺拥有极具竞争力的光刻次数和紧凑的设计规则，为DC-DC、LED屏驱动、音频功放、MCU等应用提供了很好的解决方案。
Key Features
- Single poly, rich metal (Aluminum) options (support 2~6, thin/thick top metal options)
- Hi-Rsh poly resistor, MIM/MOS capacitor, OTP/FT E–fuse and other rich device options
- Full Design Kit support with PDK\CMD\library
Application
- DC-DC
- LED display
- Audio amplifier
- MCU
0.18μm e-Flash
公司提供的0.18μm e-Flash工艺兼容0.18um logic工艺，提供业界具有竞争力的闪存IP，高可靠性，低功耗和低成本，为智能卡、各类屏接触控制、MCU等应用提供了很好的解决方案。
Key Features
- Double polys, support 4~6 top metal options
- Industrial competitive flash macro cell size, low voltage, low power operation
- Full Design Kit support with PDK\ std cell\IO Library
Application
- Smart card
- Touch-screen controller
- MCU
